王震宇 特聘副教授
邮箱：zhenyu-wang@shu.edu.cn
个人简介：长期从事二维材料的大规模制备及表征研究，探索其在低功耗电子器件、存算一体架构及生物医疗等领域的应用。在相关领域发表SCI论文15篇，参与多项国际合作研究项目，致力于推进二维材料在新一代低功耗芯片与智能传感技术中的技术突破与产业化发展。
研究方向：二维材料的大规模 MOCVD 制备及工艺优化、低功耗电子器件与存算一体架构设计、新型二维材料芯片及智能传感技术、生物电子电路与医疗器件、多模态异质集成与系统级应用
教育背景
2015.07-2019.07清华大学材料学院 材料科学与工程专业 工学学士
2019.08-2024.05瑞士洛桑联邦理工学院 材料科学与工程专业 理学博士
工作经历
2024.06-2024.10 瑞士洛桑联邦理工学院 博士后研究员
2025.01-至今 suncitygroup太阳集团 特聘副教授
获奖情况
l 国家优秀自费职工奖学金A类（中国国家留学基金委，2022）
l 洛桑联邦理工学院材料学院优秀博士论文奖（2024）
代表性成果
(1) Wang, Z.; Tripathi, M.; Golsanamlou, Z.; Kumari, P.; Lovarelli, G.; Mazziotti, F.; Logoteta, D.; Fiori, G.; Sementa, L.; Marega, G. M.; Ji, H. G.; Zhao, Y.; Radenovic, A.; Iannaccone, G.; Fortunelli, A.; Kis, A. Substitutional P-Type Doping in NbS2–MoS2 Lateral Heterostructures Grown by MOCVD. Adv. Mater. 2023, 35 (14), 2209371.
(2) Wang, Z.; Cheon, C.-Y.; Tripathi, M.; Marega, G. M.; Zhao, Y.; Ji, H. G.; Macha, M.; Radenovic, A.; Kis, A. Superconducting 2D NbS2 Grown Epitaxially by Chemical Vapor Deposition. ACS Nano 2021, 15 (11), 18403–18410.
(3) Migliato Marega, G.; Wang, Z.; Paliy, M.; Giusi, G.; Strangio, S.; Castiglione, F.; Callegari, C.; Tripathi, M.; Radenovic, A.; Iannaccone, G.; Kis, A. Low-Power Artificial Neural Network Perceptron Based on Monolayer MoS2. ACS Nano 2022, 16 (3), 3684–3694.
(4) Migliato Marega, G.; Ji, H. G.; Wang, Z.; Pasquale, G.; Tripathi, M.; Radenovic, A.; Kis, A. A Large-Scale Integrated Vector–Matrix Multiplication Processor Based on Monolayer Molybdenum Disulfide Memories. Nat. Electron. 2023, 6 (12), 991–998.
(5) Migliato Marega, G.; Zhao, Y.; Avsar, A.; Wang, Z.; Tripathi, M.; Radenovic, A.; Kis, A. Logic-in-Memory Based on an Atomically Thin Semiconductor. Nature 2020, 587 (7832), 72–77.
(6) Zhao, Y.; Tripathi, M.; Čerņevičs, K.; Avsar, A.; Ji, H. G.; Gonzalez Marin, J. F.; Cheon, C.-Y.; Wang, Z.; Yazyev, O. V.; Kis, A. Electrical Spectroscopy of Defect States and Their Hybridization in Monolayer MoS2. Nat. Commun. 2023, 14 (1), 44.
(7) Zhang, M.; Lihter, M.; Chen, T.-H.; Macha, M.; Rayabharam, A.; Banjac, K.; Zhao, Y.; Wang, Z.; Zhang, J.; Comtet, J.; Aluru, N. R.; Lingenfelder, M.; Kis, A.; Radenovic, A. Super-Resolved Optical Mapping of Reactive Sulfur-Vacancies in Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides. ACS Nano 2021, 15 (4), 7168–7178.
(8) Reato, E.; Palacios, P.; Uzlu, B.; Saeed, M.; Grundmann, A.; Wang, Z.; Schneider, D. S.; Wang, Z.; Heuken, M.; Kalisch, H.; Vescan, A.; Radenovic, A.; Kis, A.; Neumaier, D.; Negra, R.; Lemme, M. C. Zero-Bias Power-Detector Circuits Based on MoS2 Field-Effect Transistors on Wafer-Scale Flexible Substrates. Adv. Mater. 2022, 34 (48), 2108469.
(9) Qiu, H.; Yu, Z.; Zhao, T.; Zhang, Q.; Xu, M.; Li, P.; Li, T.; Bao, W.; Chai, Y.; Chen, S.; Chen, Y.; Cheng, H.-M.; Dai, D.; Di, Z.; Dong, Z.; Duan, X.; Feng, Y.; Fu, Y.; Guo, J.; Guo, P.; Hao, Y.; He, J.; He, X.; Hu, J.; Hu, W.; Hu, Z.; Huang, X.; Huang, Z.; Imran, A.; Kong, Z.; Li, J.; Li, Q.; Li, W.; Liao, L.; Liu, B.; Liu, C.; Liu, C.; Liu, G.; Liu, K.; Liu, L.; Liu, S.; Liu, Y.; Lu, D.; Ma, L.; Miao, F.; Ni, Z.; Ning, J.; Pan, A.; Ren, T.-L.; Shu, H.; Sun, L.; Sun, Y.; Tao, Q.; Tian, Z.-A.; Wang, D.; Wang, H.; Wang, H.; Wang, J.; Wang, J.; Wang, W.; Wang, X.; Wang, Y.; Wang, Y.; Wang, Z.; Wen, Y.; Wu, H.; Wu, H.; Wu, J.; Wu, Y.; Xia, L.; Xiang, B.; Xing, L.; Xiong, Q.; Xiong, X.; Xu, J.; Xu, T.; Xu, Y.; Yang, L.; Yang, Y.; Yang, Y.; Ye, L.; Ye, Y.; Yu, B.; Yu, T.; Zeng, H.; Zhang, G.; Zhang, H.; Zhang, J.; Zhang, K.; Zhang, T.; Zhang, X.; Zhang, Y.; Zhao, C.; Zhao, Y.; Zheng, T.; Zhou, P.; Zhou, S.; Zhu, Y.; Yang, D.; Shi, Y.; Wang, H.; Wang, X. Two-Dimensional Materials for Future Information Technology: Status and Prospects. Sci. China Inf. Sci. 2024, 67 (6), 160400.
(10) Piacentini, A.; Marian, D.; Schneider, D. S.; González Marín, E.; Wang, Z.; Otto, M.; Canto, B.; Radenovic, A.; Kis, A.; Fiori, G.; Lemme, M. C.; Neumaier, D. Stable Al2O3 Encapsulation of MoS2-FETs Enabled by CVD Grown h-BN. Adv. Electron. Mater. 2022, 8 (9), 2200123.
(11) Erbas, B.; Conde-Rubio, A.; Liu, X.; Pernollet, J.; Wang, Z.; Bertsch, A.; Penedo, M.; Fantner, G.; Banerjee, M.; Kis, A.; Boero, G.; Brugger, J. Combining Thermal Scanning Probe Lithography and Dry Etching for Grayscale Nanopattern Amplification. Microsyst. Nanoeng. 2024, 10 (1), 1–10.
(12) Schneider, D. S.; Lucchesi, L.; Reato, E.; Wang, Z.; Piacentini, A.; Bolten, J.; Marian, D.; Marin, E. G.; Radenovic, A.; Wang, Z.; Fiori, G.; Kis, A.; Iannaccone, G.; Neumaier, D.; Lemme, M. C. CVD Graphene Contacts for Lateral Heterostructure MoS2 Field Effect Transistors. Npj 2D Mater. Appl. 2024, 8 (1), 1–6.
(13) Schneider, D. S.; Reato, E.; Lucchesi, L.; Wang, Z.; Piacetini, A.; Bolten, J.; Marian, D.; Marin, E. G.; Radenovic, A.; Wang, Z.; Fiori, G.; Kis, A.; Iannaccone, G.; Neumaier, D.; Lemme, M. C. MoS2/Graphene Lateral Heterostructure Field Effect Transistors. In 2021 Device Research Conference (DRC); 2021; pp 1–2.
